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闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

吕衍秋 庄春泉 黄杨程 李萍 龚海梅

半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：105-108,4.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：105-108,4.

闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

Properties of Zn-Diffused InP Surfaces with Sealed Tube Method

吕衍秋 1庄春泉 2黄杨程 1李萍 2龚海梅1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

闭管扩散/电化学C-V/二次离子质谱/光致发光

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕衍秋,庄春泉,黄杨程,李萍,龚海梅..闭管扩散Zn对InP表面性质的影响[J].半导体学报,2006,27(z1):105-108,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060) （批准号:50632060）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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