电子器件2005，Vol.28Issue(1)：105-109,5.
关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究
Analysis and Study of Secondary Breakdown Effect about VDMOSFET
摘要
关键词
二次击穿/双极晶体管/功率晶体管VDMOS/寄生晶体管/MEDICI分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张丽,庄奕琪,李小明,姜法明..关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究[J].电子器件,2005,28(1):105-109,5.基金项目
国家863项目(900123093)的资助. （900123093）
