首页|期刊导航|半导体学报|退火后无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙

退火后无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙

文于华唐吉玉赵传阵吴靓臻孔蕴婷汤莉莉刘超吴利锋李顺方陈俊芳

半导体学报2008，Vol.29Issue(1)：105-109,5.

Bandgap Energies in Strain-Free Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs QWs After Annealing

文于华 ¹唐吉玉 ¹赵传阵 ¹吴靓臻 ¹孔蕴婷 ¹汤莉莉 ¹刘超 ¹吴利锋 ¹李顺方 ¹陈俊芳¹

作者信息

GaInNAs/GaAs/量子阱/带隙/退火

信息技术与安全科学

文于华,唐吉玉,赵传阵,吴靓臻,孔蕴婷,汤莉莉,刘超,吴利锋,李顺方,陈俊芳..退火后无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙[J].半导体学报,2008,29(1):105-109,5.

国家自然科学基金资助项目(批准号:10575039) （批准号:10575039）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

访问量0

下载量0

段落导航