首页|期刊导航|华中科技大学学报(自然科学版)|一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源OA北大核心CSCDCSTPCD

CMOS bandgap reference voltage source with high PSRR

中文摘要

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.

张道礼;梁延彬;吴艳辉;陈胜

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074弥亚微电子,上海有限公司,上海,201204华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

信息技术与安全科学

带隙基准反馈温度系数电源抑制比可修调电阻

《华中科技大学学报(自然科学版)》 2007 (11)

106-108,3

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