半导体学报2006，Vol.27Issue(6)：1068-1072,5.
SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析
Numerical Simulation and Analysis of SiGeC/Si Heterojunction Power Diodes
摘要
关键词
SiGeC/Si异质结/功率二极管/反向恢复/漏电流分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高勇,刘静,马丽,余明斌..SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析[J].半导体学报,2006,27(6):1068-1072,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50477012),陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助项目 （批准号:50477012）
