物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1075-1081,7.
Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究
Investigation of snapback stress induced gate oxide defect for NMOSFET's in 90 nm technology
摘要
关键词
突发击穿/软击穿/应力引起的泄漏电流/热电子应力分类
数理科学引用本文复制引用
朱志炜,郝跃,马晓华,曹艳荣,刘红侠..Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究[J].物理学报,2007,56(2):1075-1081,7.基金项目
家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题. （批准号:60376024）
