半导体学报2002，Vol.23Issue(10)：1078-1082,5.
Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响
Effect of Ar Pressure on Properties of ZnO∶Al Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
宋登元 1王永青 1孙荣霞 1宗晓萍 1郭宝增1
作者信息
- 1. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002
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摘要
关键词
ZnO薄膜/铝掺杂/射频磁控溅射/溅射气压/SEM形貌分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
宋登元,王永青,孙荣霞,宗晓萍,郭宝增..Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响[J].半导体学报,2002,23(10):1078-1082,5.
