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反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析

辛萍 孙成伟 秦福文 文胜平 张庆瑜

物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1082-1087,6.
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物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1082-1087,6.

反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析

Room-temperature photoluminescence of ZnO/MgO multiple quantum wells deposited by reactive magnetron sputtering

辛萍 1孙成伟 1秦福文 2文胜平 1张庆瑜3

作者信息

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
  • 2. 半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 3. 清华大学材料科学与工程系,北京,100084
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摘要

关键词

ZnO/MgO/多量子阱/磁控溅射/光致荧光/量子限域效应

分类

数理科学

引用本文复制引用

辛萍,孙成伟,秦福文,文胜平,张庆瑜..反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析[J].物理学报,2007,56(2):1082-1087,6.

基金项目

家自然科学基金(批准号:10605009)资助的课题. （批准号:10605009）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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