GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长OA北大核心CSCDCSTPCD
GaSb Bulk Materials and InAs/GaSb Superlattices Grown by MBE on GaAs Substrates
采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083
电子信息工程
分子束外延GaAsGaSbInAs/GaSb超晶格
《半导体学报》 2007 (7)
超晶格与量子阱半导体材料
1088-1091,4
国家自然科学基金资助项目(批准号:60607016,60625405)
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