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具有 MIS 结构的 n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝 HEMT

相奇 罗晋生 曾庆明 周均铭 黄绮

半导体学报Issue(2)：109,1.
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半导体学报Issue(2)：109,1.

具有 MIS 结构的 n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝 HEMT

相奇 1罗晋生 1曾庆明 1周均铭 1黄绮1

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相奇,罗晋生,曾庆明,周均铭,黄绮..具有 MIS 结构的 n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝 HEMT[J].半导体学报,1992,(2):109,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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