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中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

吴恩吴书祥毛晋昌秦国刚

半导体学报Issue(1)：109,1.

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半导体学报Issue(1)：109,1.

中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

吴恩 ¹吴书祥 ¹毛晋昌 ¹秦国刚¹

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吴恩,吴书祥,毛晋昌,秦国刚..中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷[J].半导体学报,1986,(1):109,1.

半导体学报

ISSN：1674-4926

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