|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度

沈晓明 付羿 冯淦 张宝顺 冯志宏 杨辉

半导体学报2002，Vol.23Issue(10)：1093-1097,5.
✕
半导体学报2002，Vol.23Issue(10)：1093-1097,5.

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度

Reduction of Stacking Fault Density in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth

沈晓明 1付羿 2冯淦 1张宝顺 1冯志宏 1杨辉1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
  • 2. 广西大学理学院,物理系,南宁,530004
  • 折叠

摘要

关键词

立方相GaN/MOVPE/侧向外延/SEM/TEM

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

沈晓明,付羿,冯淦,张宝顺,冯志宏,杨辉..用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度[J].半导体学报,2002,23(10):1093-1097,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:69825107),NSFC-RGC联合基金(5001161953,NHKU028/00)资助项目 （批准号:69825107）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文