物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1105-1109,5.
SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型
Mathematical model of DC characteristic of SiGe charge injection transistors
摘要
关键词
SiGe/Si异质结/电荷注入晶体管/二维空穴气/隧道效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英..SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型[J].物理学报,2007,56(2):1105-1109,5.基金项目
武器装备预研基金(批准号:51408061104DZ01)资助的课题. （批准号:51408061104DZ01）
