表面技术2009，Vol.38Issue(1)：11-13,3.
加热处理的SiC-C涂层注H+前后表面形貌及其Si分布的研究
The Morphology and Si Depth Profile for the Heat-treated SiC-C Coatings before and after H+ Ion Implantation
杜良 1曾俊辉 1张东 1杜纪富 2杨淑勤 2任丁 2刘宁 2黄宁康2
作者信息
- 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900
- 2. 四川大学720所辐射物理与技术教育部重点实验室,四川,成都,610064
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摘要
关键词
SiC-C涂层/离子注入/表面形貌/Si深度分布分类
矿业与冶金引用本文复制引用
杜良,曾俊辉,张东,杜纪富,杨淑勤,任丁,刘宁,黄宁康..加热处理的SiC-C涂层注H+前后表面形貌及其Si分布的研究[J].表面技术,2009,38(1):11-13,3.
