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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

马全宝 叶志镇 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉

无机材料学报2007,Vol.22Issue(6):1113-1116,4.
无机材料学报2007,Vol.22Issue(6):1113-1116,4.

氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

Effects of Oxygen Partial Pressure on the Properties of Transparent Conductive ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering

马全宝 1叶志镇 1何海平 1朱丽萍 1张银珠 1赵炳辉1

作者信息

  • 1. 浙江大学,材料系硅材料国家重点实验室,杭州,310027
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摘要

关键词

ZnO:Ga/透明导电氧化物薄膜/磁控溅射/氧分压/光电特性

分类

数理科学

引用本文复制引用

马全宝,叶志镇,何海平,朱丽萍,张银珠,赵炳辉..氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响[J].无机材料学报,2007,22(6):1113-1116,4.

基金项目

国家科技部973项目(2006CB604906) (2006CB604906)

国家自然科学基金重点项目(60276044,60340460439) (60276044,60340460439)

浙江省自然科学基金(Y405126) (Y405126)

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-324X

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