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直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

王质武 刘文 杨清斗 卫静婷

人工晶体学报2006,Vol.35Issue(5):1113-1117,5.
人工晶体学报2006,Vol.35Issue(5):1113-1117,5.

直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

Preparation of Preferentially Orientated AlN (002) Thin Film by DC Reactive Magnetron Sputtering

王质武 1刘文 1杨清斗 1卫静婷1

作者信息

  • 1. 深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060
  • 折叠

摘要

关键词

氮化铝薄膜/直流磁控溅射/择优取向

分类

数理科学

引用本文复制引用

王质武,刘文,杨清斗,卫静婷..直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜[J].人工晶体学报,2006,35(5):1113-1117,5.

基金项目

留学回国人员科研启动基金(教外司留2001-498) (教外司留2001-498)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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