物理学报2002，Vol.51Issue(5)：1113-1117,5.
4H-SiC MOSFET的温度特性研究
Study on the temperature properties of 4H-SiC MOSFET
摘要
关键词
4H-SiC,MOSFET分类
数理科学引用本文复制引用
徐昌发,杨银堂,刘莉..4H-SiC MOSFET的温度特性研究[J].物理学报,2002,51(5):1113-1117,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:69976023)、教育部跨世纪优秀人才基金、国防科技预研基金资助的课题. （批准号:69976023）
