人工晶体学报2005，Vol.34Issue(6)：1118-1121,4.
MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征
Characterization of InxGa1-xN Layers Grown by MOCVD
摘要
关键词
MOCVD/InxGa1-xN/薄膜/缓冲层分类
数理科学引用本文复制引用
李亮,俞慧强,韩平,顾书林,施毅,郑有炓,张荣,谢自力,张禹,修向前,刘成祥,毕朝霞,陈琳,刘斌..MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征[J].人工晶体学报,2005,34(6):1118-1121,4.基金项目
国家重点基础研究发展规划(G2000068305) （G2000068305）
国家高技术研究发展规划(2001AA311110,2003AA311060,2004AA311080) （2001AA311110,2003AA311060,2004AA311080）
国家自然科学基金(No.69976014,No.69806006,No.69987001,No.6039072,No.60476030)和国家杰出青年基金(No.60025411) （No.69976014,No.69806006,No.69987001,No.6039072,No.60476030）
江苏省自然科学基金重点项目(BK2003203) （BK2003203）
