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InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

陈志忠 张国义 徐科 秦志新 于彤军 童玉珍 宋金德 林亮 刘鹏 齐胜利

半导体学报2007，Vol.28Issue(7)：1121-1124,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(7)：1121-1124,4.

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

Origins of Double Emission Peaks in Electroluminescence Spectrum from InGaN/GaN MQW LED

陈志忠 1张国义 1徐科 1秦志新 1于彤军 1童玉珍 1宋金德 2林亮 1刘鹏 1齐胜利1

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 2. 江苏伯乐达光电科技有限公司,盐,城224002
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/发光二极管/多量子阱/透射电子显微镜/电致发光谱/阴极荧光谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈志忠,张国义,徐科,秦志新,于彤军,童玉珍,宋金德,林亮,刘鹏,齐胜利..InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究[J].半导体学报,2007,28(7):1121-1124,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60406007) （批准号:60406007）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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