深亚微米工艺下互连线串扰问题的研究与进展OA北大核心CSCDCSTPCD
Progress and Research on Interconnects Crosstalk in Deep Submicron Technology
集成电路工艺发展到深亚微米技术后,互连线串扰问题变得越来越严重,尤其在千兆赫兹的设计中,耦合电感的影响不能忽略.插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法.文中首先介绍共面、微带状线和带状线三种互连结构下的电感耦合特性,然后分别介绍了基于共面互连结构的用于计算互连线噪声的Keff模型和RLC精确噪声模型.实验表明两种模型都有很高的精确度,在解决互连线串扰的物理设计中有广泛的应用.
As develops in deep sub-micron designs,the interconnect crosstalk becomes much more serious.Especially,the coupling inductance can not be ignored in gigahertz designs.So shield insertion is an efficient technique to reduce the inductive noise.In this paper,the characteristics of on-chip mutual inductance (as well as self) for coplanar,micro-stripline and stripline structures are introduced first.Then base on the coplanar interconnect structures,the effective…查看全部>>
蔡懿慈;赵鑫;洪先龙
清华大学计算机科学与技术系,北京,100084清华大学计算机科学与技术系,北京,100084清华大学计算机科学与技术系,北京,100084
电子信息工程
互连线串扰串扰噪声Keff模型RLC精确噪声模型
interconnect crosstalkcrosstalk noiseKeff modelRLC explicit noise model
《半导体学报》 2003 (11)
基于SOC设计的互连线规划及布线算法研究
1121-1129,9
国家自然科学基金(批准号:60176016)和国家高技术研究发展计划(No.2002AA1Z1460)资助项目
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