稀土元素Sm、Eu、Gd对Nb掺杂的TiO2压敏电阻电性能的影响OA北大核心CSCD
Effect of Sm, Eu and Gd on Nb-doped TiO2 Varistors
研究了稀土元素Sm、Eu、Gd对于Nb掺杂的TiO2基压敏电阻电学性能的影响.几种稀土元素的掺杂量均为体系总量的2%(原子比),其它原料的掺入量固定不变.实验样品在1380℃烧结,保温4 h.实验发现,Sm、Eu、Gd等稀土元素可以有效降低TiO2基压敏电阻的压敏电压,但对于非线性系数的影响不很明显.对于Sm、Eu、Gd掺杂,实验得到的压敏电压值分别为12.7、14.7和16.1 V.通过对试样的阻抗分析发现,Sm、Eu、Gd掺杂对于压敏电阻的介…查看全部>>
The effect of Sm, Eu and Gd on electrical properties of a new class of polystalline ceramics based on TiO2 was investigated. The content of added Sm, Eu and Gd is 2% (atomic ratio), while that of the other addition is always maintained at a constant value. The disks were sintered at 1380 ℃ for 4 h. It was found that Sm, Eu and Gd can reduce the voltage values (corresponding to 1 mA current) of TiO2-based varistors effectively, but do not strongly influence t…查看全部>>
唐子龙;米佳;张中太;周志刚
清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084
化学化工
压敏电阻稀土掺杂TiO2缺陷
VaristorRare-earth ionsDopingTitaniaDefect
《物理化学学报》 2005 (10)
LiFePO4/锂钛系纤维复合型锂离子电池正极材料的制备与电化学性能
1122-1126,5
中国高新技术研究发展计划(2003AA302320)、国家自然科学基金(50372033)、清华大学基础研究基金(JC2003040)和香港王宽诚教育基金资助项目The Project Supported by High Technology and Development Project of China (2003AA302320), NSFC (50372033),Basic Research Foundation of Tsinghua University (JC2003040) and K.C. Wang Education Foundation, Hong Kong
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