半导体学报2004，Vol.25Issue(9)：1128-1131,4.
掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
Indium Doping to Improve Heterojunction of AlGaAs/GaAs and Its Application
尚勋忠 1王文冲 1郭丽伟 1吴曙东 1牛萍娟 1黄绮 1周均铭1
作者信息
- 1. 中国科学院物理研究所,北京,100080
- 折叠
摘要
关键词
量子阱/高电子迁移率晶体管/界面粗糙度/光致发光/表面活化剂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
尚勋忠,王文冲,郭丽伟,吴曙东,牛萍娟,黄绮,周均铭..掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用[J].半导体学报,2004,25(9):1128-1131,4.
