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N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

王文博 宋李梅 王晓慧 杜寰 孙贵鹏

电子器件2007，Vol.30Issue(4)：1129-1132,4.
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电子器件2007，Vol.30Issue(4)：1129-1132,4.

N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

Hot Carrier Injection Effect Analysis and Optimization for N-LDMOS

王文博 1宋李梅 1王晓慧 1杜寰 1孙贵鹏2

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 2. HV工艺开发课,器件开发课,可靠性/失效分析实验室(CSMC),江苏,无锡,214000
  • 折叠

摘要

关键词

LDMOS/热载流子注入/可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王文博,宋李梅,王晓慧,杜寰,孙贵鹏..N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化[J].电子器件,2007,30(4):1129-1132,4.

基金项目

国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705) （2003CB314705）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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