半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：113-116,4.
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长
LPCVD Homoepitaxial Growth on Off-Axis Si-Face 4H-SiC(0001) Substrates
王雷 1孙国胜 1高欣 1赵万顺 1张永兴 1曾一平 1李晋闽1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要
关键词
SiC化学气相沉积/外延生长分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王雷,孙国胜,高欣,赵万顺,张永兴,曾一平,李晋闽..偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长[J].半导体学报,2005,26(z1):113-116,4.
