物理化学学报2004，Vol.20Issue(2)：113-117,5.
化学镀铜过程混合电位本质的研究
In situ Investigation on the Behavior of Mixed Potential in Electroless Copper Plating
摘要
关键词
化学镀铜/铜基体/陶瓷基体/新生铜/混合电位/诱发时间/活化工艺分类
化学化工引用本文复制引用
谷新,胡光辉,林昌健,王周成..化学镀铜过程混合电位本质的研究[J].物理化学学报,2004,20(2):113-117,5.基金项目
国家高技术研究发展规划(863项目)资助课题(2001AA325100) （863项目）
