半导体学报2004，Vol.25Issue(9)：1132-1136,5.
4H-SiC功率MESFET的击穿特性
Breakdown Characteristics of 4H-SiC Microwave Power MESFETs
摘要
关键词
SiC/击穿特性/金属半导体场效应晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吕红亮,张义门,张玉明,杨林安..4H-SiC功率MESFET的击穿特性[J].半导体学报,2004,25(9):1132-1136,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(No.51327010101) （No.51327010101）
