电子器件2007，Vol.30Issue(4)：1133-1136,4.
PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定
Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM
郭天雷 1赵发展 1韩郑生 1海潮和1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
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摘要
关键词
临界电荷/单粒子翻转/PDSOI/寄生三极管/SRAM分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭天雷,赵发展,韩郑生,海潮和..PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定[J].电子器件,2007,30(4):1133-1136,4.
