半导体学报2001，Vol.22Issue(9)：1139-1142,4.
富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性
Vapor Growth and Electrical Properties of CdSe Crystals with Excess Cd
金应荣 1朱世富 1赵北君 1邵双运 1李奇峰 1王雪敏 1于丰亮 1宋芳1
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摘要
关键词
气相生长/CdSe单晶/电子陷阱分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
金应荣,朱世富,赵北君,邵双运,李奇峰,王雪敏,于丰亮,宋芳..富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性[J].半导体学报,2001,22(9):1139-1142,4.
