半导体学报2007，Vol.28Issue(7)：1139-1143,5.
抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器
Radiation-Hardened 128kb PDSOI CMOS Static RAM
赵凯 1刘忠立 2于芳 1高见头 2肖志强 1洪根深2
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
- 2. 传感器技术国家重点实验室,北京,100083
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摘要
关键词
部分耗尽绝缘体上硅/静态随机存储器/加固设计分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵凯,刘忠立,于芳,高见头,肖志强,洪根深..抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器[J].半导体学报,2007,28(7):1139-1143,5.
