半导体学报2005，Vol.26Issue(6)：1140-1143,4.
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
Compensation Characteristics of Deep Energy Level Impurity Zn to n-Type Silicon
摘要
关键词
深能级杂质/费米能级/多数载流子/补偿度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云..深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J].半导体学报,2005,26(6):1140-1143,4.基金项目
中国科学院"西部之光"资助项目 （）
