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等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响

王颖 曹菲 吴春瑜

电子器件2007,Vol.30Issue(4):1140-1143,4.
电子器件2007,Vol.30Issue(4):1140-1143,4.

等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响

Influence of Surface Charge on the Passivation of Beveled Semiconductor Device

王颖 1曹菲 1吴春瑜2

作者信息

  • 1. 哈尔滨工程大学,信息与通信工程学院,哈尔滨,150001
  • 2. 辽宁大学,物理系,沈阳110036
  • 折叠

摘要

关键词

台面半导体器件/钝化/表面空间电荷层/表面耗尽区

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王颖,曹菲,吴春瑜..等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响[J].电子器件,2007,30(4):1140-1143,4.

基金项目

哈尔滨工程大学基础研究基金项目资助(002080260727) (002080260727)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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