半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1141-1146,6.
掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究
First Principle Calculation of the Electronic Structure and Optical Properties of Impurity-Doped β-FeSi2 Semiconductors
摘要
关键词
掺杂β-FeSi2/几何结构/能带结构,光学性质/第一性原理分类
物理学引用本文复制引用
闫万瑶,谢泉..掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].半导体学报,2008,29(6):1141-1146,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60566001),教育部博士点专项科研基金(批准号 （批准号:60566001）
20050657003)及贵州省优秀青年科技人才培养计划(黔科合人:20050528)资助项目 （黔科合人:20050528）
