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熔体外延法生长截止波长8~12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱

高玉竹 龚秀英 山口十六夫

半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):115-118,4.
半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):115-118,4.

熔体外延法生长截止波长8~12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱

Transmission Spectra for InAs1-xSbx Alloy with Cutoff Wavelength of 8~12μm Grown by Melt-Epitaxy

高玉竹 1龚秀英 1山口十六夫2

作者信息

  • 1. 同济大学电子与信息工程学院,上海,200092
  • 2. 静冈大学电子工学研究所,滨松,432-8011,日本
  • 折叠

摘要

关键词

熔体外延/截止波长/透射光谱/微观分布

分类

化学化工

引用本文复制引用

高玉竹,龚秀英,山口十六夫..熔体外延法生长截止波长8~12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱[J].半导体学报,2007,28(z1):115-118,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60644005) (批准号:60644005)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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