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氮掺杂金刚石膜的生长特性

李明吉 杨保和 孙大智 吕宪义 金曾孙

半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1152-1155,4.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1152-1155,4.

氮掺杂金刚石膜的生长特性

Growth Characteristics of Nitrogen-Doped Diamond Films

李明吉 1杨保和 1孙大智 1吕宪义 2金曾孙2

作者信息

  • 1. 天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津300191
  • 2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012
  • 折叠

摘要

关键词

金刚石膜/EA-CVD方法/膜品质/氮杂质

分类

数理科学

引用本文复制引用

李明吉,杨保和,孙大智,吕宪义,金曾孙..氮掺杂金刚石膜的生长特性[J].半导体学报,2008,29(6):1152-1155,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60576011),天津市自然科学重点基金(批准号:05YFJZJC00400,06TXTJJC14701)资助项目 （批准号:60576011）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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