半导体学报2001，Vol.22Issue(9)：1154-1159,6.
短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型
A Short-Channel SOI MOSFET Model Considering Total Dose Effects
万新恒 1甘学温 1张兴 1黄如 1王阳元1
作者信息
摘要
关键词
SOI MOSFET/总剂量辐照效应/模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
万新恒,甘学温,张兴,黄如,王阳元..短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型[J].半导体学报,2001,22(9):1154-1159,6.
