半导体学报2005，Vol.26Issue(6)：1159-1163,5.
掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响
Influence of Si-Doping on Luminescence Properties of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells
摘要
关键词
多量子阱/AlGaInP/MOCVD/Si掺杂/光致发光分类
数理科学引用本文复制引用
李述体,范广涵,周天明,郑树文,王浩,郭志友,孙慧卿..掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响[J].半导体学报,2005,26(6):1159-1163,5.基金项目
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:00-068) （批准号:00-068）
