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一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

朱志炜 郝跃 马晓华

电子器件2007,Vol.30Issue(4):1159-1163,5.
电子器件2007,Vol.30Issue(4):1159-1163,5.

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

A Modified Simulation Design Methodology for On-Chip ESD Protection Circuit

朱志炜 1郝跃 1马晓华1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

静电放电/片内ESD保护电路/混合模式仿真/能量驰豫时间/非本地输运

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱志炜,郝跃,马晓华..一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法[J].电子器件,2007,30(4):1159-1163,5.

基金项目

国家自然科学基金支持研究(60376024) (60376024)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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