半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1160-1163,4.
功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响
Effect of Power Density on the Properties of μc-Si:H Deposited by VHF-PECVD
摘要
关键词
μc-Si:H/VHF-PECVD/功率密度/孵化层/成核密度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭学军,卢景霄,文书堂,杨根,陈永生,张庆丰,谷锦华..功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响[J].半导体学报,2008,29(6):1160-1163,4.基金项目
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号 （）
2006CB202601) （）
