物理化学学报2008，Vol.24Issue(7)：1160-1164,5.
预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响
Effect of Predeposited Ge on the Growth of SiC Films on Si(111)by SSMBE
摘要
关键词
锗/预沉积/碳化硅/硅衬底/固源分子束外延分类
化学化工引用本文复制引用
刘忠良,任鹏,刘金锋,唐军,徐彭寿..预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响[J].物理化学学报,2008,24(7):1160-1164,5.基金项目
国家自然科学基金(50572100)资助项目 （50572100）
