半导体学报2001，Vol.22Issue(9)：1160-1164,5.
4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型
Analytical Model of Large-Signal DC I-V Characteristics for 4H-SiC RF Power MESFET's
杨林安 1张义门 1吕红亮 1张玉明 1于春利1
作者信息
摘要
关键词
4H-SiC/射频功率MESFET/非线性大信号模型/直流I-V特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨林安,张义门,吕红亮,张玉明,于春利..4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型[J].半导体学报,2001,22(9):1160-1164,5.
