电子器件2007，Vol.30Issue(4)：1164-1167,4.
引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型
Introducing the Excited States of Impurities into Inversion Layer Charge Model for SiC-MOSFET
戴振清 1杨瑞霞 2杨克武1
作者信息
- 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130
- 2. 河北科技师范学院数理系,河北,秦皇岛,066600
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摘要
关键词
激发态/SiC/MOSFET/反型层电荷模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
戴振清,杨瑞霞,杨克武..引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型[J].电子器件,2007,30(4):1164-1167,4.
