半导体学报2005，Vol.26Issue(6)：1164-1168,5.
弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响
Fabrication and Properties of Microcrystalline Silicon Deposited with VHF-PECVD Under Lightly Boron-Doping
摘要
关键词
甚高频等离子体增强化学气相沉积/氢化微晶硅薄膜/弱硼掺杂补偿分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄君凯,杨恢东..弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响[J].半导体学报,2005,26(6):1164-1168,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G20000282-2,G20000282-3) （批准号:G20000282-2,G20000282-3）
