物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1167-1171,5.
深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials
杨俊 1赵有文 2董志远 2邓爱红 1苗杉杉 1王博1
作者信息
- 1. 四川大学物理学院应用物理系,成都,610065
- 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要
关键词
InP/半绝缘/深能级/电学补偿分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨俊,赵有文,董志远,邓爱红,苗杉杉,王博..深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响[J].物理学报,2007,56(2):1167-1171,5.
