蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长OA北大核心CSCD
RF-MBE Growth of an InN Epilayer on Sapphire Substrate
采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).
肖红领;王晓亮;张南红;王军喜;刘宏新;韩勤;曾一平;李晋闽
中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院半导体研究所,北京,100083
电子信息工程
RF-MBE氮化铟DCXRDAFM
《半导体学报》 2005 (6)
1169-1172,4
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,G20000683),国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060)和国家自然科学基金(批准号:60136020,60137020)资助项目
评论