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氢、氧终端掺硼金刚石薄膜的电子结构

刘峰斌 汪家道 陈大融

物理学报2008,Vol.57Issue(2):1171-1176,6.
物理学报2008,Vol.57Issue(2):1171-1176,6.

氢、氧终端掺硼金刚石薄膜的电子结构

Electronic structures of hydrogenated and oxygenated boron-doped diamond films

刘峰斌 1汪家道 1陈大融1

作者信息

  • 1. 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

氢终端/氧终端/掺硼金刚石薄膜/电子结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘峰斌,汪家道,陈大融..氢、氧终端掺硼金刚石薄膜的电子结构[J].物理学报,2008,57(2):1171-1176,6.

基金项目

国家自然科学基金 (批准号: 50475018,50505020 )资助的课题. (批准号: 50475018,50505020 )

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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