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MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

张瑞康 董雷 余永林 王定理 张靖 陈磊 江山

半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1177-1179,3.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1177-1179,3.

MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

Studies on the Butt-Joint of a InGaAsP-Waveguide Realized with Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

张瑞康 1董雷 1余永林 2王定理 3张靖 1陈磊 4江山1

作者信息

  • 1. 武汉光迅科技股份有限公司,武汉430074
  • 2. 山东大学信息科学与工程学院,济南250100
  • 3. 华中科学技术大学武汉国家光电实验室,武汉430074
  • 4. 武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/对接生长/波导

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张瑞康,董雷,余永林,王定理,张靖,陈磊,江山..MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究[J].半导体学报,2008,29(6):1177-1179,3.

基金项目

国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03ZA27),国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314903)和国家自然科学基金(批准号:60677024)资助项目 （批准号:2006AA03ZA27）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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