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热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进

谭利文 王俊 王启元 郁元桓 刘忠立 邓惠芳 王建华 林兰英

半导体学报2002，Vol.23Issue(11)：1178-1181,4.
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半导体学报2002，Vol.23Issue(11)：1178-1181,4.

热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进

Improvement of γ-Al2O3/Si Heterostructure Films by Thermal Annealing in Oxygen Ambient

谭利文 1王俊 1王启元 1郁元桓 1刘忠立 2邓惠芳 1王建华 1林兰英1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
  • 2. 中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京,100083
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摘要

关键词

γ-Al2O3/SOI/MOCVD/退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英..热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进[J].半导体学报,2002,23(11):1178-1181,4.

基金项目

国家重点基础研究专项经费资助项目(No.G20000365) （No.G20000365）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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