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Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M

半导体学报2003，Vol.24Issue(11)：1180-1184,5.
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半导体学报2003，Vol.24Issue(11)：1180-1184,5.

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

Carge-Trapping Effect of Al/SRO/Si Devices Under Lateral Electrical Stress

于振瑞 1杜金会 2张加友 2李长安 1Aceves M2

作者信息

  • 1. 南开大学光电子研究所,天津,300071
  • 2. 军事交通学院基础部,天津,300161
  • 折叠

摘要

关键词

富硅氧化硅/电荷俘获效应/C-V测试/诱导pn结

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于振瑞,杜金会,张加友,李长安,Aceves M..Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应[J].半导体学报,2003,24(11):1180-1184,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:50172061)及墨西哥Conacyt资助项目 （批准号:50172061）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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