强激光与粒子束2009，Vol.21Issue(1)：118-122,5.
离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响
Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology
申林 1田俊林 1刘志国 2熊胜明1
作者信息
- 1. 中国科学院光电技术研究所,成都,610209
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
- 折叠
摘要
关键词
薄膜/离子束辅助/反应沉积/偏转电压/HfO2/光学损耗分类
数理科学引用本文复制引用
申林,田俊林,刘志国,熊胜明..离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响[J].强激光与粒子束,2009,21(1):118-122,5.
