半导体学报2005，Vol.26Issue(6)：1187-1190,4.
应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备
Patterned SIMOX Technique for Deep Sub-Micron DSOI Devices
陶凯 1董业民 2易万兵 2王曦 1邹世昌2
作者信息
- 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
- 2. 中国上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203
- 折叠
摘要
关键词
DSOI/SIMOX/埋氧层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌..应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J].半导体学报,2005,26(6):1187-1190,4.
